Физика полупроводников
1.3.11. На русском языке
Уровень обучения Аспирантура
Форма обучения Очная
Продолжительность обучения 4 года
Группа научных специальностей Физические науки
Описание программы
Программа направлена на комплексную и высококачественную подготовку научных и научно-педагогических кадров в следующих областях:
- Физические основы методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности. Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе. Примеси и дефекты в полупроводниках и композитных структурах. Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления
- 188bet体育_188bet亚洲体育_点此进入 спектры полупроводниковых материалов и композиционных соединений на их основе. Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и в композиционных полупроводниковых структурах. Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства. Неравновесные явления в полупроводниках и структурах
- Динамика кристаллической решетки. Электрон-фононное взаимодействие. Квантоворазмерные структуры
- Многочастичные взаимодействия в полупроводниках и композитных структурах. Транспортные и оптические явления в структурах пониженной размерности. Магнитные полупроводники
- Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах. Разработка физических принципов работы приборов на базе полупроводниковых материалов и композиционных полупроводниковых структур. Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур
Вступительные испытания
- Физические науки — письменный экзамен (для граждан РФ и соотечественников)
- Иностранный язык — письменный экзамен (для граждан РФ и соотечественников)
Квалификация / перспективы защиты (на соискание степени кандидата каких наук может защищать диссертацию выпускник аспирантуры)
Физико-математические науки
Потенциальные научные руководители и основные направления их исследований
Научные руководители
- В.Ф. Агекян — профессор кафедры физики твердого тела
- А.П. Барабан — профессор кафедры электроники твердого тела
- С.Ю. Вербин — профессор кафедры физики твердого тела
- Д.В. Вернер — руководитель лаборатории "Фотоактивные нанокомпозитные материалы"
- О.Ф. Вывенко — профессор кафедры электроники твердого тела
- И.Е. Габис — профессор кафедры электроники твердого тела
- Л.В. Григорьев — доцент кафедры общей физики-I
- В.С. Запасский — ведущий научный сотрудник исследовательской лаборатории Оптики спина имени И.Н. Уральцева
- И.В. Игнатьев — профессор кафедры физики твердого тела
- К.В. Кавокин — ведущий научный сотрудник исследовательской лаборатории Оптики спина имени И.Н. Уральцева
- Г.Г. Козлов — профессор кафедры твердого тела
- А.С. Комолов — профессор кафедры электроники твердого тела
- М.С. Кузнецова — старший научный сотрудник исследовательской лаборатории Оптики спина имени И.Н. Уральцева
- М.Ю. Петров — старший научный сотрудник кафедры молекулярной биофизики и физики полимеров
- В.К. Рябчук — профессор кафедры фотоники
- А.В. Трифонов — старший научный сотрудник исследовательской лаборатории Оптики спина имени И.Н. Уральцева
- Р.В. Чербунин — доцент кафедры физики твердого тела
- И.А. Югова — профессор кафедры физики твердого тела
- А.А.М. Яфясов — профессор кафедры электроники твердого тела
Основные направления исследований
- Физика твердых тел
- Физика атома и молекулы
- Физика элементарных частиц
- Теория полей
- Физика высоких энергий
- Физика плазмы
- Природные органические соединения и их синтетические аналоги
- Ядерная физика
- Физика Земли
- Общие проблемы физического эксперимента
Проекты и гранты
Реализуемые в рамках 188bet体育_188bet亚洲体育_点此进入
- Гетероструктуры на основе нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений
III-V и широкозонных полупроводников: фундаментальные исследования и инновационный дизайн функциональных наноматериалов для оптоэлектроники - Коррелированные ядерные спиновые состояния в n-GaAs и наноструктурах
- Воздействие охлаждения ядерных спинов на спиновую когерентность носителей
- Дефектная структура, электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев к(ε)-политипа оксида галлия
- Взаимосвязь атомной структуры и люминесцентных свойств протяженных дефектов в нитриде галлия
- Лазерная диагностика накопления изотопов водорода во взаимодействующих с плазмой материалах токамака
- Коррелированные ядерные спиновые состояния в n-GaAs и наноструктурах
- Воздействие охлаждения ядерных спинов на спиновую когерентность носителей
- Резонансные оптические нелинейности в планарных полупроводниковых гетероструктурах с сильным свето-экситонным взаимодействием
- Протокол когерентного оптического контроля экситонов в малых магнитных полях
Ресурсные возможности для исследований