Цель работы лаборатории?— разработка новых III-V?полупроводниковых наноструктур переменной размерности и?их?интеграция с?кремниевой технологией. Всестороннее исследование?свойств III-V?полупроводниковых наноструктур, а?также синтез усовершенствованных планарных гетероструктур для?квантово-каскадных лазеров и?других источников неклассического света.
Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций
-
Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций создана в январе 2022 года на базе кафедры физики твердого тела.
Основные задачи
- Разработка технологий синтеза методом МПЭ новых гетероструктур на?основе III-V?ННК с?КТ и/или КЯ?при различных условиях роста на?различных подложках, в?том числе монокристаллического кремния
- Исследование механизмов МПЭ роста и?зависимостей физических свойств синтезированных гетероструктур от?ростовых параметров, таких как температура роста, состав ННК, состав?КТ и?КЯ, расположение и?количество?КТ, соотношения потоков III/V из?источников, предварительная подготовка подложек и?т.д.
- Экспериментальные исследования эпитаксиального роста и?физических свойств гетероструктур на?основе ННК с?КТ, где материалы ННК и?КТ совпадают, но?обладают разной кристаллографической фазой
- Исследование влияния постростовой обработки (термическая обработка, пассивация и?др.) на?физические свойства синтезированных наноструктур
- Теоретические и?экспериментальные исследования распространения электромагнитных волн в?ННК
- Синтез и?исследование свойств соединений III-V?на основе нитридов разных составов, морфологии, в?том числе, переменной размерности, на?различных подложках, в?том числе, монокристаллического кремния
- Исследование оптических свойств синтезированных наноструктур
- Исследование временных зависимостей спектров фотолюминесценции выращенных структур с?целью получения информации о?временах жизни носителей заряда
- Исследование тонкой структуры экситонных полос излучения синтезированных наноструктур
- Детальное исследование возможности синтеза наноструктур с?заданными геометрическими параметрами, такими как взаимное расположение, форма, размеры и?др.?с?помощью, в?том числе, литографических методов
- Оптимизация дизайна, синтез методом МПЭ и?исследование физических свойств многослойных III-V гетероструктур для квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот
- Детальное исследование влияния параметров роста (температура подложки, скорость роста, уровень легирования, резкость гетероинтерфейсов, используемых подложек, различных дизайнов и?др.) с?целью оптимизации технологии синтеза ККЛ на?основе системы GaAs/AlGaAs для различных приложений
- Синтез и?исследование свойств других источников неклассического света.
Сотрудники
У?научного коллектива налаженное сотрудничество с?коллегами в?России и?за?рубежом. Лаборатория плотно взаимодействует с?СПбАУ РАН имени Ж.?И.?Алфёрова (Санкт-Петербург, Россия), Датским техническим университетом (Копенгаген, Дания), Институтом Макса Борна (Берлин, Германия) и?Вюрцбургским университетом имени Юлиуса и?Максимилиана (Вюрцбург, Германия). Также развивается сотрудничество лаборатории с?промышленными партнерами.